买卖IC网 >> 产品目录 >> AGR19125EF 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

AGR19125EF

库存数量：可订货
制造商：TriQuint Semiconductor
描述：射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
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制造商 TriQuint Semiconductor
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率 1.93 GHz to 1.99 GHz
增益 15 dB
输出功率 24 W
汲极/源极击穿电压 65 V
漏极连续电流
闸/源击穿电压 15 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 19125EF
封装
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属性
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代理商 AGR19125EF
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深圳市科翼源电子有限公司 13510998172 朱小姐
北京首天伟业科技有限公司 010-62565447 刘先生
深圳市芯睿晨科技有限公司 0755-82571496 李小姐/肖先生
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